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业界高层预言NAND闪存市场8大趋势
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业界高层预言NAND闪存市场8大趋势 出自：电子工程专辑 编辑：Jessica Cao 在近日于美国举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上，一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中，SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告，NAND产业正处于“十字路口”，主要是因为市场产能供应与需求之间存在“隔阂”。以下是Harari对NAND快闪记忆体市场的8个预言： 1、产业已经开始复苏。在经历衰退之后，NAND正朝向复苏之路，目前的市场供需平衡处于较佳的状态。NAND平均价格(ASP)并没有像过去下跌得那么快。预计在2010~2013年之间，NAND价格的年衰退幅度在40%左右；而该数字在2005年~2009年之间大约是60%。 2 、多位元(multi-bit)技术持续当道。在2009年~2015年之间，x3 (3-bit-per-cell)与x4 (4-bit-per-cell)技术将会取代目前的2-bit-per-cell主流技术。 3、受管理型(Managed) NAND将成市场主角。控制器晶片将成为NAND市场关键，以支援NAND包括固态硬碟(SSD)在内的不同应用；未来市场焦点将会由未加工(raw) NAND──或者说是离散式零件──转向受管理型NAND。 4、NAND仍将称霸通用记忆体技术。在NAND之外尚未诞生可行的通用记忆体技术，包括FRAM、MRAM与相变化(phase-change)记忆体等等，都还上不了台面。技术可望冒出头。 5、3D读写(3-D read/write)有可能从通用记忆体技术竞争中崭露头角；SanDisk与Toshiba正在研发可能取代NAND的3D技术。不过尽管材料上能取得突破，向3D记忆体技术的转移还需要数年时间。 6、18吋晶圆技术是未知数。NAND厂应该不会从12吋晶圆转向18吋晶圆，所需的资本支出成本实在太高。 7、超紫外光(EUV)技术濒临危机。目前的先进NAND制程是采用193纳米浸润式光刻(immersion lithography)；而NAND供应商们将会发现要转向EUV是件困难的工作。 |
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