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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » CVD生长单层MoS2
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zhangsir123

木虫 (初入文坛)

[求助] CVD生长单层MoS2 已有1人参与

求助各位老师，关于CVD生长单层MoS2的问题，第一次生长为星型；第二次生长为非常小的三角，后面通过增加硫粉的量，还是小三角（归因于硫粉200mg太少了）。生长出来的都是极小的三角形，后来即使增加了硫粉的量（300mg），仍然是小三角（5微米）。反应条件：常压，气体流量150SCCM（Ar 130/H2 20).因为管道比较大，防止回流，所以用的流量比文献中流量大。
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1楼 2021-10-15 16:21:11
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zhangsir123

木虫 (初入文坛)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 15751000449 at 2021-10-15 18:20:26
星型可能是H的刻蚀作用，小？生长温度多少呢？

生长温度750度，反应10分钟。H2一般不是可以有利于生成较大的三角形么，还会刻蚀么？
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3楼2021-10-18 15:40:41
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匿名

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zhangsir123
2楼2021-10-15 18:20:26
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952212076

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

想问楼主，你做的怎么样了，我最近也在做这个一直不太顺利
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4楼2022-04-15 11:38:58
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