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2008911银虫 (小有名气)
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[交流]
【求助】请问为什么我用VASP计算碲镉汞带隙比实验值大?
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用VASP计算8个原子完整材料碲镉汞小体系的带隙时，出现一个问题---其带隙比实验得到的带隙要大1.3eV左右。我一直找不到是什么原因造成的，想请教高人指点 其结构为闪锌矿结构，带隙为直接带隙。VASP做scf计算，INCAR文件中的参数设置为 ISTART=0 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG=2 PREC=A WEIMIN=0 ENCUT=300 NELM=60 NELMIN=2 NELMDL=-5 EDIFF=1E-05 stopping-criterion for ELM ISMEAR=0 SIGMA=0.1 IALGO=38 algorithm LWAVE=TRUE LCHARG=TRUENGX=38; NGY=38; NGZ=38 LSORBIT=.TRUE. SAXIS=0 0 1 做了晶格常数优化之后，才做SCF计算了，没有做晶格优化了。 其中K点取值为7*7*7 所用的赝势为PAW-LDA 得到Gamma点在Fermi 能级附近的两个本征值为 3.1494 4.6916 E-Fermi=3.1531,所以它的带隙是1.55eV,而实验带隙是0.22eV，相差这么大，找了很久，一直没有找到其原因，请高手帮忙指点。 Thank you! [ Last edited by wuli8 on 2009-8-30 at 10:35 ] |
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2008911
银虫 (小有名气)
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8楼2009-08-21 19:35:17
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2008911(金币+1):谢谢参与
fegg7502(金币+1,VIP+0):thank you very much! 8-23 16:43
2008911(金币+1):谢谢参与
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2楼2009-08-21 15:41:59
gavinliu7390
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