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2008911

银虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 372.7
帖子: 276
在线: 13.8小时
虫号: 687874
注册: 2009-01-05
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

[交流] 【求助】请问为什么我用VASP计算碲镉汞带隙比实验值大?

用VASP计算8个原子完整材料碲镉汞小体系的带隙时，出现一个问题---其带隙比实验得到的带隙要大1.3eV左右。我一直找不到是什么原因造成的，想请教高人指点
  其结构为闪锌矿结构，带隙为直接带隙。VASP做scf计算，INCAR文件中的参数设置为
  ISTART=0 job : 0-new  1-cont  2-samecut
ICHARG=2
PREC=A
WEIMIN=0
ENCUT=300
NELM=60
NELMIN=2
NELMDL=-5
EDIFF=1E-05 stopping-criterion for ELM
ISMEAR=0
  SIGMA=0.1
IALGO=38 algorithm
LWAVE=TRUE
LCHARG=TRUENGX=38; NGY=38; NGZ=38
  LSORBIT=.TRUE.
SAXIS=0 0 1
  做了晶格常数优化之后，才做SCF计算了，没有做晶格优化了。
其中K点取值为7*7*7
  所用的赝势为PAW-LDA
得到Gamma点在Fermi 能级附近的两个本征值为
3.1494
4.6916
E-Fermi=3.1531,所以它的带隙是1.55eV,而实验带隙是0.22eV，相差这么大，找了很久，一直没有找到其原因，请高手帮忙指点。
  Thank you!

[ Last edited by wuli8 on 2009-8-30 at 10:35 ]

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超光速

1楼 2009-08-20 22:09:12

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

hlshi

金虫 (正式写手)

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在线: 89.1小时
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注册: 2007-11-27
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

★ ★ ★
2008911(金币+1):谢谢参与
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 8-23 16:43

半导体计算建议用ISMEAR=-5，

引用回帖:

Originally posted by 2008911 at 2009-8-20 22:09:
用VASP计算8个原子完整材料碲镉汞小体系的带隙时，出现一个问题---其带隙比实验得到的带隙要大1.3eV左右。我一直找不到是什么原因造成的，想请教高人指点
其结构为闪锌矿结构，带隙为直接带隙。VASP做scf计算， ...