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xiangqi036

木虫 (著名写手)

[交流] 【讨论】氧化亚铜的禁带宽度该如何计算?

本人做了紫外,在438nm处有个吸收峰,却不知道如何计算出他的禁带宽度。
我在网上搜一天,找到一个外推法。都是很笼统我却不知道如何拟合的。
都是通过(αEp)2对 Ep 作图就可以了。可是吸收系数α,怎么求呀,我也这查过资料
α=4πk/lambda,k消光系数又该如何去求呀。。反正很晕。。希望高手帮忙
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qwerasdf2783

金虫 (著名写手)


xiangqi036(金币+1,VIP+0): 8-19 09:37
有吸收峰?我记得半导体只要是大于带隙的光都能吸收,不会出现吸收峰的,只会出现吸收带。
如何拟合和跃迁方式有关,分垂直跃迁还是非垂直跃迁,即跃迁过程中是否有声子参与,两者的拟合方式是不同的。
4楼2009-08-19 09:05:28
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xiangqi036

木虫 (著名写手)

没人应答,请斑竹返还金币。
2楼2009-08-18 15:56:45
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maomao520

银虫 (正式写手)


xiangqi036(金币+1,VIP+0): 8-19 08:59
做漫反射确定λ,然后根据E=1240/λ就可算出啦
好好学习,天天向上!
3楼2009-08-19 08:50:26
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xiangqi036

木虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by qwerasdf2783 at 2009-8-19 09:05:
有吸收峰?我记得半导体只要是大于带隙的光都能吸收,不会出现吸收峰的,只会出现吸收带。
如何拟合和跃迁方式有关,分垂直跃迁还是非垂直跃迁,即跃迁过程中是否有声子参与,两者的拟合方式是不同的。

应该是 a broad peak ranging from 400 to 700nm, 只是有一个最大值438而已。我看多好多资料。。很多有吸收峰呀。。
5楼2009-08-19 09:43:29
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