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xiangqi036

木虫 (著名写手)

[交流] 【讨论】氧化亚铜的禁带宽度该如何计算?

本人做了紫外,在438nm处有个吸收峰,却不知道如何计算出他的禁带宽度。
我在网上搜一天,找到一个外推法。都是很笼统我却不知道如何拟合的。
都是通过(αEp)2对 Ep 作图就可以了。可是吸收系数α,怎么求呀,我也这查过资料
α=4πk/lambda,k消光系数又该如何去求呀。。反正很晕。。希望高手帮忙
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xiangqi036

木虫 (著名写手)

没人应答,请斑竹返还金币。
2楼2009-08-18 15:56:45
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maomao520

银虫 (正式写手)


xiangqi036(金币+1,VIP+0): 8-19 08:59
做漫反射确定λ,然后根据E=1240/λ就可算出啦
好好学习,天天向上!
3楼2009-08-19 08:50:26
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qwerasdf2783

金虫 (著名写手)


xiangqi036(金币+1,VIP+0): 8-19 09:37
有吸收峰?我记得半导体只要是大于带隙的光都能吸收,不会出现吸收峰的,只会出现吸收带。
如何拟合和跃迁方式有关,分垂直跃迁还是非垂直跃迁,即跃迁过程中是否有声子参与,两者的拟合方式是不同的。
4楼2009-08-19 09:05:28
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xiangqi036

木虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by qwerasdf2783 at 2009-8-19 09:05:
有吸收峰?我记得半导体只要是大于带隙的光都能吸收,不会出现吸收峰的,只会出现吸收带。
如何拟合和跃迁方式有关,分垂直跃迁还是非垂直跃迁,即跃迁过程中是否有声子参与,两者的拟合方式是不同的。

应该是 a broad peak ranging from 400 to 700nm, 只是有一个最大值438而已。我看多好多资料。。很多有吸收峰呀。。
5楼2009-08-19 09:43:29
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xiangqi036

木虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by maomao520 at 2009-8-19 08:50:
做漫反射确定λ,然后根据E=1240/λ就可算出啦

请问吸收边怎么确定呀。。做切线交点么?
6楼2009-08-19 09:48:58
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qwerasdf2783

金虫 (著名写手)


xiangqi036(金币+1,VIP+0): 8-19 11:12
半导体的带隙一般只与吸收边有关,这个例子中就是700nm附近的情况。直接根据吸收边确定带隙是比较粗糙的。比较好的方法是先查出是否为直接跃迁,再用不同的公式拟合。或根据拟合检查是否为直接跃迁。
吸收峰一般是与价带或导带中的态密度有关,因此并不能由此得到有关带隙大小的信息。
7楼2009-08-19 10:38:24
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threestone819

金虫 (小有名气)


xiangqi036(金币+1,VIP+0): 8-19 11:13
吸收边一般都是做切线确定的吧
[/img]http://id.91cool.net/sign/[/img]
8楼2009-08-19 11:10:42
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xiangqi036

木虫 (著名写手)

ratio(金币+0,VIP+0):应求退还金币 8-24 20:55
版主,返还剩余金币吧?
9楼2009-08-24 13:59:14
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