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mse507木虫 (正式写手)
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[交流]
【讨论】铁电薄膜配套电极的选择
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| 铁电薄膜的电学性能除了与取向和晶化程度相关外，还很强地依赖底电极材料的质量以及二者之间发生互扩散（与退火温度密切相关）的程度。因此，选择合适的底电极材料是开展铁电薄膜研究工作必须面对的一个关键问题。欢迎对铁电薄膜感兴趣的虫子们就此问题从基础研究和器件应用两个方面来展开讨论。 |
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mse507
木虫 (正式写手)
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ufoer(金币+3,VIP+0):3x 8-23 12:34
ufoer(金币+3,VIP+0):3x 8-23 12:34
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看的出，楼上做了10多年的铁电了。不过你对铁电存储器的认识似乎还停留在低密度时代。提醒一点，你说的10uC/cm2只能满足kBit量级的存储器，那是10年以前的产品。而现在市场上已经有64Mbit以上的，这需要铁电薄膜的剩余极化至少30uC/cm2。剩余极化的均匀性是必须被考虑的。而在氧化物电极上制备外延膜是彻底解决这一问题的最有效手段。 至于BiFeO3，日本的富士通公司早在2006年将其应用到铁电存储器上了，无非是看上了其超大的剩余极化。你提到的高矫顽场问题，我想该公司不会不考虑。本人认为制备外延BiFeO3仍是解决这个问题的有效方法之一。 关于铁电领域对Ramesh工作的态度，我想更多的人是被他远远地抛在后面。但Ramesh小组一枝独秀的状况终究会被打破的。据我所知，国内有人已经能用PLD重复出他们的结果。我想即使目前做不出来，也不要看热闹。想当年，GaN在研究初期也不是遇到类似的问题，而现在已经被大规模产业化了吗。 我想做科研应该以积极的心态、发展的眼光往前看，做任何材料都会有问题，而科研人员的任务不就是解决问题吗。 以上愚见纯属个人观点，欢迎板砖！ |
9楼2009-08-23 09:56:37
2楼2009-08-17 21:25:55
solgeltech
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clearsky7228
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