24小时热门版块排行榜    

查看: 3690  |  回复: 8
【悬赏金币】回答本帖问题,作者HJieY将赠送您 15 个金币

HJieY

新虫 (初入文坛)

[求助] MD simulation之后处理ovito中遇到的问题

前辈们,朋友们:
       你们好!
       我的研究方向是采用分子动力学模拟硬脆性材料在纳米加工中的材料去除机理及变形行为。最近在采用ovito尝试对模拟结果进行后处理时,出现了一些问题不知如何解决,特别希望热心的虫友可以为我释惑。问题如下:
       1、在ovito中进行配位数分析,在视觉效果上感觉配位数设置无误后(截断半径我设置为稍大于键长), 进行成键时却发现配位数与中心原子的键数十分不一致,如5配位原子的中心原子键数应为5才对,但键数却表现的极为任意(0~5个),原子间没有键居多,成5键的原子几乎没有,真的很奇怪;
       2、在SiC材料中,在Si原子和C原子成键时,C原子和C原子、Si原子和Si原子之间是否会成键呢?
       先行感谢致力于研究的你们,盼解惑!
                                                                                                                                                                                         一个在分子动力学上处于迷茫的人儿
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)

人在塔在
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

get-it

新虫 (小有名气)

你用的是说明modification,量过原子间距么

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2021-07-27 19:12:15
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

HJieY

新虫 (初入文坛)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by get-it at 2021-07-27 19:12:15
你用的是说明modification,量过原子间距么

前辈,
      你好!
      我量过原子间距,未成键的原子基本都是由于原子间距大于截断半径;我在生成键之前,将显示效果设置为只显示5配位原子,哦,怪不得,原来是这样,5配位原子不一定非要和5配位原子才能成键。
      前辈我提的第二个问题其实是针对SiC的径向分布函数来说的,RDF中的横坐标(原子间距)应该是哪种键的长度呢?是Si-C,Si-Si还是C-C呢?RDF图我是这么做的,首先进行配位数分析(根据键长设置为2.5埃),根据配位数着色(配位数范围3-7),然后通过表达式选取单个配位数(如配位数为5)的原子群,再次进行配位数分析,设置截断半径为5埃,得到RDF;但是我所生成的单配位数径向分布函数峰值与我所读论文中的相比,直接打了3个数量级,我有点犯傻了,难道是我生成RDF的方法不正确吗?
      十分期待您的回复!
                                                                                                                                                                                                                                                        迷茫虫友
人在塔在
3楼2021-07-28 09:02:30
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

get-it

新虫 (小有名气)

为什么要单独选择配位数为5的原子画rdf?文献也是这个流程吗?你自己都没搞懂问题在哪,你得把文献看明白了。
4楼2021-07-28 17:10:42
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

HJieY

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by get-it at 2021-07-28 17:10:42
为什么要单独选择配位数为5的原子画rdf?文献也是这个流程吗?你自己都没搞懂问题在哪,你得把文献看明白了。

前辈,
      您好:
      我看过的论文中确实展示出了单个配位数的RDF和ADF,但是没有提示是怎么做出来的,其实我自己做的径向分布函数是自己想出来的。
      前两个图是我读到的论文中的插图,最后一个是我自己按自己的想法做出的图,但是,与论文中的RDF的峰值相差了好几个数量级,不知是怎么回事?
      附件中的图片分别就是4配位原子和6配位原子的RDF和ADF,而Si-I、Si-II、、Si-III、Si-XII、Si-XIII是单晶Si在切削过程中所演变出的不同晶相结构,图中虚线分别是各种标准晶相所对应的RDF位置。
      十分期待您的回复!
MD simulation之后处理ovito中遇到的问题
1.jpg


MD simulation之后处理ovito中遇到的问题-1
2.jpg


MD simulation之后处理ovito中遇到的问题-2
3.jpg

人在塔在
5楼2021-07-29 09:11:20
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

get-it

新虫 (小有名气)

文献的rdf很奇怪。对于周期性体系,截断半径趋于无穷时,g(r)趋于1(你可以找些典型的rdf看看)。但是这里峰值都没到0.5,你可能要看看文献中rdf的公式才行。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

6楼2021-07-29 19:46:57
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

HJieY

新虫 (初入文坛)

送红花一朵
引用回帖:
6楼: Originally posted by get-it at 2021-07-29 19:46:57
文献的rdf很奇怪。对于周期性体系,截断半径趋于无穷时,g(r)趋于1(你可以找些典型的rdf看看)。但是这里峰值都没到0.5,你可能要看看文献中rdf的公式才行。

前辈,
      您好:
      受到你的回复,我很高兴!我也感觉RDF挺奇怪的,但不只这一篇论文是这样,我看到的另一篇论文也是这样的,RDF峰值最大为1左右(如第二、三图所示),但就像您说的那样,截断半径不可能无穷大(此篇论文中截断半径为5埃,且是在单相聚集区内生成径向分布函数的,如第一个图所示,我就是受到这个划分单相聚集区的方法的启发,来生成RDF的,但结果...);此外,论文中我并没有发现RDF的公式,RDF是用ovito后处理得到的,我想应该也用不到公式吧。
      看起来还是我的做法有误,虽然说模拟数据不同,但绝不会相差很大,再说都是采用球形压头进行单晶硅的纳米压痕加工,应呈现出相似的规律才是。前辈,您是怎么生成RDF,又是怎么进行配位数分析的呢?好困惑啊
      期待您的回复!
MD simulation之后处理ovito中遇到的问题-3
5.jpg


MD simulation之后处理ovito中遇到的问题-4
6.jpg


MD simulation之后处理ovito中遇到的问题-5
7.jpg

人在塔在
7楼2021-07-29 22:02:46
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

get-it

新虫 (小有名气)

看了文献我大概理解了,文献算的是有限的体系。你用ovito分析时可能需要把周期性关掉。
至于纳米压痕,我也没做过,建议你直接写邮件给作者询问。
8楼2021-07-29 23:20:40
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

HJieY

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
8楼: Originally posted by get-it at 2021-07-29 23:20:40
看了文献我大概理解了,文献算的是有限的体系。你用ovito分析时可能需要把周期性关掉。
至于纳米压痕,我也没做过,建议你直接写邮件给作者询问。

前辈,谢谢您的建议!  哎...
人在塔在
9楼2021-07-30 09:53:20
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 HJieY 的主题更新
不应助 确定回帖应助 (注意:应助才可能被奖励,但不允许灌水,必须填写15个字符以上)
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 0832食品科学与工程293调剂 +4 东东不東 2026-03-07 4/200 2026-03-12 14:21 by ZhengYI21
[考研] 材料与化工085600调剂求老师收留 +7 jiaanl 2026-03-11 7/350 2026-03-12 13:08 by Equinoxhua
[考研] 290求调剂 +8 ADT 2026-03-11 8/400 2026-03-12 12:24 by 黑钻子
[考研] 考研一志愿长安大学材料与化工309分请求调剂 +7 dtdxzxx 2026-03-06 9/450 2026-03-12 11:34 by 2020015
[考研] 314求调剂 +4 无懈可击的巨人 2026-03-12 4/200 2026-03-12 10:49 by vgtyfty
[考研] 283求调剂,材料、化工皆可 +5 苏打水7777 2026-03-11 5/250 2026-03-12 10:44 by vgtyfty
[考研] 271求调剂 +7 生如夏花… 2026-03-11 7/350 2026-03-12 09:32 by allen-yin
[考研] 277求调剂 +3 anchor17 2026-03-12 3/150 2026-03-12 08:43 by 学员8dgXkO
[考研] 302求调剂 +3 负心者当诛 2026-03-11 3/150 2026-03-12 08:26 by 学员8dgXkO
[考研] 一志愿天津大学材料与化工275求调剂 10+5 穿只靴子 2026-03-07 22/1100 2026-03-11 21:11 by kiokin
[考研] 一志愿天大化工(085600)调剂总分338 +5 蔡大美女 2026-03-09 5/250 2026-03-10 14:44 by ruiyingmiao
[考研] 调剂的同学,走过路过,不要错过 +11 likeihood 2026-03-06 16/800 2026-03-10 11:38 by Djdjj12
[考研] 307求调剂 +3 辛仁豆腐 2026-03-08 5/250 2026-03-09 14:09 by macy2011
[考研] 0703化学求调剂,总分309分,一志愿华南师范 +3 花与叶@ 2026-03-08 3/150 2026-03-09 05:48 by houyaoxu
[考研] 083000环境科学与工程调剂 +5 加油呀fxy 2026-03-07 6/300 2026-03-08 21:07 by sdgdsdgd
[考研] 347求调剂 +4 浮云满足 2026-03-07 4/200 2026-03-08 16:46 by 星空星月
[考研] 第一志愿上海大学,专业化学工程与技术,总分288,求调剂 +3 1829197082 2026-03-07 3/150 2026-03-07 19:14 by houyaoxu
[考研] 276求调剂 本科天津工业大学 一志愿北京化工大学0855 +4 路lyh123 2026-03-06 6/300 2026-03-07 11:37 by shdliugang
[考研] 材料与化工354调剂 +4 Lucy-xiao 2026-03-06 7/350 2026-03-06 09:57 by hxuq8429
[考研] 085600,一志愿郑州大学,280分求调剂 +7 Wuqi725 2026-03-05 7/350 2026-03-06 08:12 by 杨杨杨紫
信息提示
请填处理意见