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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 碲化铋bi2te3的带隙只有0.15ev，不应该是半导体吗？那为什么它是拓扑绝缘体？
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sdela

铁虫 (正式写手)

[求助] 碲化铋bi2te3的带隙只有0.15ev，不应该是半导体吗？那为什么它是拓扑绝缘体？ 已有1人参与

问一个特别小白的问题，最近看文献很困扰，碲化铋bi2te3的带隙只有0.15ev，不应该是半导体吗？那为什么它是拓扑绝缘体？拓扑绝缘体内部不是绝缘体吗？带隙不应该比较大吗还是说表面金属态和内部的绝缘体中和了下带隙所以带隙比较小？

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1楼 2021-05-18 16:30:05
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sdela

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by wangyikeco at 2021-05-22 03:21:06
In physics, 带隙>0ev，就应该是扑绝缘体

那这么定义的话就没有半导体了？全都是拓扑绝缘体？

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5楼2021-05-26 08:55:50
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小刘石墨烯

银虫 (小有名气)
可以发下文献，我看的一般都是几十
mev称为绝缘体了

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2楼2021-05-19 07:57:16
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小刘石墨烯

银虫 (小有名气)
少打几个字，称为拓扑绝缘体。这就是两个最大的不同吧

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3楼2021-05-19 22:36:35
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wangyikeco

木虫 (正式写手)

newbie

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
sdela: 金币+10, ★有帮助 2021-05-26 08:56:16
In physics, 带隙>0ev，就应该是扑绝缘体
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4楼2021-05-22 03:21:06
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