| 查看: 2045 | 回复: 6 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
GGA计算单层MoS2带隙需要修正吗 已有1人参与
|
|||
|
前两天终于收到了评审意见,文章是关于MoS2吸附的。评审人问了GGA计算能带时带隙修正的问题,因为读过的相关论文里关于带隙的部分也都是没有修正的,但是也没说明为什么,文章里就没有用+U、剪刀之类的修正,带隙计算结果1.72eV。想请教一下,该怎么回复才好。 审稿人意见如下:As it is well-known, the bandgap of semiconductor presented by GGA method is underestimated, in Fig. 2, the author gives band diagram of the clean and adsorption configurations of MoS2, is there any corrections performed with respect to band gap? such as Scissors operator, DFT-D, etc. If not, please add some explanations. |
» 猜你喜欢
有多少人是今天查系统知道结果的?
已经有19人回复
面上合作单位盖章
已经有9人回复
面上函评意见出来了,像什么等级?
已经有17人回复
为什么国自然不能直接公布
已经有5人回复
梦想
已经有7人回复
学科评审组评审是指会评吗?
已经有4人回复
为什么资助数各大高校都创新高,自己申请怎么就这么难
已经有14人回复
小白求助 投论文要求的highlights应该如何写
已经有4人回复
麻烦专家们看看评委们的意见(F口面上)
已经有12人回复
怎么看青基中了没有啊
已经有6人回复
4楼2021-04-23 13:59:17
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
|
你好 请问 二硫化钼在MS里怎么进行几何优化 我看参考文献和小木虫里面都说优化之后键长是2.408为什么我优化之后是2.44 发自小木虫Android客户端 |
2楼2021-04-23 13:11:41
3楼2021-04-23 13:25:16
5楼2021-04-23 14:27:56










回复此楼
20