| 查看: 1916 | 回复: 6 | |||
[交流]
GGA计算单层MoS2带隙需要修正吗 已有1人参与
|
|
前两天终于收到了评审意见，文章是关于MoS2吸附的。评审人问了GGA计算能带时带隙修正的问题，因为读过的相关论文里关于带隙的部分也都是没有修正的，但是也没说明为什么，文章里就没有用+U、剪刀之类的修正，带隙计算结果1.72eV。想请教一下，该怎么回复才好。 审稿人意见如下：As it is well-known, the bandgap of semiconductor presented by GGA method is underestimated, in Fig. 2, the author gives band diagram of the clean and adsorption configurations of MoS2, is there any corrections performed with respect to band gap? such as Scissors operator, DFT-D, etc. If not, please add some explanations. |
回复此楼» 猜你喜欢
航天502所 高瑛珂博士 婚内征婚 欺骗女性开房
已经有17人回复
-
宿州学院学报
已经有6人回复
-
投稿文章被秒拒了
已经有5人回复
-
地球科学部D01口青年基金，最低几A几B几C才能有几率中呀。
已经有3人回复
-
招收2026级博士生
已经有6人回复
-
博士申请
已经有5人回复
-
西安交大新媒学院副院长用撤稿论文结题
已经有7人回复
-
论文撤稿了
已经有9人回复
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
|
你好 请问 二硫化钼在MS里怎么进行几何优化 我看参考文献和小木虫里面都说优化之后键长是2.408为什么我优化之后是2.44 发自小木虫Android客户端 |
2楼2021-04-23 13:11:41
3楼2021-04-23 13:25:16
4楼2021-04-23 13:59:17
5楼2021-04-23 14:27:56
6楼2021-04-23 15:08:52
7楼2021-04-25 19:24:45