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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 工艺技术 » 工艺设计 » HF中加入AgNO3能增加对二氧化硅的刻蚀速率吗
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捣铃儿

新虫 (小有名气)

[求助] HF中加入AgNO3能增加对二氧化硅的刻蚀速率吗 已有1人参与

1.最近在小木虫看到硝酸银加入HF中能加快HF对于二氧化硅的刻蚀速率，请问是啥机理，硝酸银添加量多少合适。2.我查文献只找到HF/H2O2/AgNO3刻蚀得到硅阵列，请问要是不加H2O2，会对硅造成刻蚀吗，因为基底硅，怕洗去二氧化硅时，硅也被刻蚀。
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1楼 2021-04-08 09:25:16
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cc116

专家顾问 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
捣铃儿: 金币+5, ★★★很有帮助, 谢谢 2021-04-08 14:42:19
可以提高腐蚀速度，加双氧水会更快

不过，你要保护硅体，就不能加这些，因为你目的是二氧化硅，有银离子与双氧水，会促进氧化作用而腐蚀硅

银离子，相当于原电池作用，即使是没有双氧水，同样会促进硅的腐蚀，因此这两种试剂都不能加

同时也要注意氢氟酸的加入量，过多会发生硅
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2楼2021-04-08 13:54:37
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