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浮云总会有银虫 (著名写手)
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[求助]
金属辅助刻蚀硅片总是失败
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大家好，最近本人在尝试制备硅纳米线，方法如下： （1）硅片清洗（DI H2O，乙醇，丙酮） （2）5% HF，90 s （3）0.02 M AgNO3/10% HF，60 s （4）10% HF：30% H2O2 （10：1， v%），8 min （5）35% HNO3，10 min 试了好多遍了，硅片表面没有一点变化。硅片规格：p型，100 phase，1-5 Ω cm，单面抛光。每一步都很小心，不知道为什么。 AgNO3可能有点问题，在10% HF溶液中形成了大量沉淀，不知是不是因为Ag没有在硅片表面覆盖，所以才无法刻蚀的。 刻蚀结束后，硅片表面无任何变化，抛光的一面还是可以映出倒影来。 求有经验的老师和同学指点迷津。 |
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浮云总会有
银虫 (著名写手)
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3楼2021-04-05 15:48:23
QJiang
铁杆木虫 (著名写手)
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- 注册: 2013-05-01
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
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应该是前三步的问题，并且催化剂Ag纳米颗粒没有负载上，第一步，清洗，可以试一下食人鱼溶液；第二步，HF可以刻蚀时间长些。如果生成Si-H,Ag离子会被立即还原的！ 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2021-04-05 01:40:55
sty112: 屏蔽内容, 违规存档 2021-04-28 09:45:39
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本帖内容被屏蔽 |
4楼2021-04-17 23:51:34
