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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » InP上PECVD法生长SiN应力问题
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Norla

新虫 (初入文坛)

[交流] InP上PECVD法生长SiN应力问题 已有1人参与

化合物半导体工艺大神们，有个技术问题求教一下，在InP上长SiN钝化，能扛得住500多度高温的Zn扩散不会裂开，也挡得住扩散就行。试了很久，要么很容易就在高温下起泡要么就扛不住Zn扩散，测暗电流测出来很大，高温出来用稀盐酸一泡就全部掉了，感觉应该是应力问题。目前recipe的条件如下：

工作频率： 13.65MHz

温度：260℃

压强：1.5Pa

power：500W

SiH4 ：110 sccm（He保护气，5% 的 SiH4含量）

NH3 : 8.8 sccm

Ar：1000sccm

现在成膜速率大概十几nm/min。没有N2管路，所以只能试NH3。各位大神走过路过麻烦指点一下，谢谢
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1楼 2021-01-19 14:12:37
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MEMSlee

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
功率太大了，还有氮化硅要高低频沉积应力才可控
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2楼2021-01-20 21:48:10
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Norla

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by MEMSlee at 2021-01-20 21:48:10
功率太大了，还有氮化硅要高低频沉积应力才可控

哦哦，感谢。看来功率是个方向
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3楼2021-01-21 09:10:53
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