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Norla新虫 (初入文坛)
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InP上PECVD法生长SiN应力问题 已有1人参与
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化合物半导体工艺大神们，有个技术问题求教一下，在InP上长SiN钝化，能扛得住500多度高温的Zn扩散不会裂开，也挡得住扩散就行。试了很久，要么很容易就在高温下起泡要么就扛不住Zn扩散，测暗电流测出来很大，高温出来用稀盐酸一泡就全部掉了，感觉应该是应力问题。目前recipe的条件如下： 工作频率： 13.65MHz 温度：260℃ 压强：1.5Pa power：500W SiH4 ：110 sccm（He保护气，5% 的 SiH4含量） NH3 : 8.8 sccm Ar：1000sccm 现在成膜速率大概十几nm/min。没有N2管路，所以只能试NH3。各位大神走过路过麻烦指点一下，谢谢 |
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2楼2021-01-20 21:48:10
Norla
新虫 (初入文坛)
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3楼2021-01-21 09:10:53
