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Norla

新虫 (初入文坛)

[交流] InP上PECVD法生长SiN应力问题 已有1人参与

化合物半导体工艺大神们,有个技术问题求教一下,在InP上长SiN钝化,能扛得住500多度高温的Zn扩散不会裂开,也挡得住扩散就行。试了很久,要么很容易就在高温下起泡要么就扛不住Zn扩散,测暗电流测出来很大,高温出来用稀盐酸一泡就全部掉了,感觉应该是应力问题。目前recipe的条件如下:

工作频率: 13.65MHz

温度:260℃

压强:1.5Pa

power:500W

SiH4 :110 sccm(He保护气,5% 的 SiH4含量)

NH3 : 8.8 sccm

Ar:1000sccm

现在成膜速率大概十几nm/min。没有N2管路,所以只能试NH3。各位大神走过路过麻烦指点一下,谢谢
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MEMSlee

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★
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功率太大了,还有氮化硅要高低频沉积应力才可控
2楼2021-01-20 21:48:10
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Norla

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by MEMSlee at 2021-01-20 21:48:10
功率太大了,还有氮化硅要高低频沉积应力才可控

哦哦,感谢。看来功率是个方向
3楼2021-01-21 09:10:53
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