| 查看: 1621 | 回复: 0 | |||
| 【有奖交流】积极回复本帖子，参与交流，就有机会分得作者 阿克飞顿 的 10 个金币 | |||
阿克飞顿金虫 (正式写手)
|
[交流]
半导体-溶液界面能带偏移与能带对齐问题
|
||
请问个溶液pH值对半导体带边band edge位置影响的问题。通常我们知道，半导体-溶液界面处会有能带偏移band offset，如下图，根据表面吸附基团的类型向上或者向下偏移，从而使得半导体表面带边位置改变，但体相中的是不变的，不收影响，这个变化规律对于 有些半导体 是和水的氧化还原电势位置随pH的变化规律一致的，也就是-0.059eV/pH。那么我们在做能带对齐band alignment的时候，要采用的是表面的带边位置还是体相中的呢？ 这个问题我在文献中看到了不同的答案。 第一种：他在做能带对齐时，认为带边位置不随pH变化，因为这里他采用的是体相的带边，所以不变。随着pH升高，氧化还原电势位置上升，价带顶和还原电势差值Uh增大，氧化能力会增强。如下这是两篇理论计算文献中的，观点是一致的。   第二种就是认为应该用表面的带边位置做对齐，以为表面带边随着pH变化。对于有些半导体，带边与redox电位变化趋势一致，如下图，也就是说调节pH对还原能力没影响；有一些变化不一致的会有影响。但对于新材料，那就不清楚有多大影响了。  |
回复此楼» 猜你喜欢
304求调剂
已经有4人回复
-
求调剂：报考中矿0817 总分299 有竞赛、科研经历
已经有1人回复
-
专业论文润色/翻译怎么收费?
已经有223人回复
-
0817一志愿苏州大学280复试调剂
已经有9人回复
-
0817找调剂
已经有6人回复
-
PDF在线压缩软件
已经有4人回复
-
材料/化学相关专业2026级学术/专业型硕士研究生
已经有18人回复
-
求催化作用基础第三版 （甄开吉) 课件
已经有1人回复
-
26年材料/化学相关专业博士研究生招生 温州大学化学与材料工程学院(26年秋季入学)
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
