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[交流]
半导体-溶液界面能带偏移与能带对齐问题
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请问个溶液pH值对半导体带边band edge位置影响的问题。通常我们知道，半导体-溶液界面处会有能带偏移band offset，如下图，根据表面吸附基团的类型向上或者向下偏移，从而使得半导体表面带边位置改变，但体相中的是不变的，不收影响，这个变化规律对于 有些半导体 是和水的氧化还原电势位置随pH的变化规律一致的，也就是-0.059eV/pH。那么我们在做能带对齐band alignment的时候，要采用的是表面的带边位置还是体相中的呢？ 这个问题我在文献中看到了不同的答案。 第一种：他在做能带对齐时，认为带边位置不随pH变化，因为这里他采用的是体相的带边，所以不变。随着pH升高，氧化还原电势位置上升，价带顶和还原电势差值Uh增大，氧化能力会增强。如下这是两篇理论计算文献中的，观点是一致的。   第二种就是认为应该用表面的带边位置做对齐，以为表面带边随着pH变化。对于有些半导体，带边与redox电位变化趋势一致，如下图，也就是说调节pH对还原能力没影响；有一些变化不一致的会有影响。但对于新材料，那就不清楚有多大影响了。  |
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