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[求助]
求助关于光波导多层耦合结构的仿真，可有偿
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  结构左右对称，其中Tio2的长度定义为2微米，Sio2长度为1.1微米（原文），中间si为52纳米（原文），因为两个si板结构对称所以有相同泄露，只需要算一层si就可求得泄露。 问1：上下边界用pmc边界还是周期性的边界（弗洛凯条件）？ 这里我考虑因为comsol算特征频率并没加入激励，会自己给激励然后计算，电场是垂直图中结构方向，也就是Ez（面外矢量），我这里用pmc来覆盖上下边界，以达到周期性的条件 问2：泄露率是求得本征频率虚部么？ 问3：因为左右两端为Tio2，   与文中有出入，是我边界计算错误还是模型设置错误 |
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