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SU-8前烘后表面凹凸不平 已有2人参与
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我在实验室用SU-8 2050做100um高的芯片，除湿和匀胶都没问题，并且匀胶后表面平整，但是按照chem的Protocol设置前烘后（65℃ 5min；95℃ 15min），观察到当温度升温到90℃左右时，硅片上的SU-8出现坑坑洼洼的情况。请问原理是什么，怎么改善。然后有推荐的做实验时的温湿度吗。是不是湿度大，会导致前烘出现坑洼。附图为情况较为好一些的，严重的上传一直失败。  1.jpg |
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3楼2020-09-19 21:28:00
bobo201266
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2楼2020-09-19 13:13:46