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fangyongxinxi

新虫 (正式写手)

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[交流] 【讨论】偏压下计算电子性质(模型优化方法，参数设置及意义)

原文：http://cyh.xjtu.edu.cn/bbs/viewt ... &extra=page%3D1

原来以为看了书中两极系统的相关说明就可以直接工作，结果并不是这样的，因为manual说的并不详细,再加上自己是个假老练初出茅庐。自己的理论理解，但不一定对，大家一起共同讨论：

1. 模型优化方法：
我的理解是 :a, 首先建立中心部分（分子或纳米系统），在外加电场下优化（假设0， 1 ， 0.1，10个点，如果我们要算0-1的偏压下性质的话），目前知道能实现这个功能的软件有 Dmol, vasp, gaosi.这样我们就得到了各个偏压下分子的几何结构，也为算i-v性质做好了准备。b, 将10个优化好的几何结构放到两极系统中，固定表面原子，移动中心分子位置，在0偏压下计算 E-d 性质，找出0压时正确的d, 即各个几何结构的能量最低点,工作量挺大的，但也不定要全部算，因为我们只对一些偏压下的性质感兴趣。c，放出表面原子，优化整个散射区，最终的结构优化。
(有人建议说abc三个过程可以放一起，让atk自己优化；也有认说a只需要计算0情况就可以了；有的建议说bc过程，atk可以自己完成)

2. 电子性质的计算过程和参数设置
一般我们会考虑 i-v，,transmis spectru ，mpsh, 电导和 dos
a, i-v，就按照书上lih2li的例子做。比如要算0-1v的 i-v，则可用0偏压下计算的中心分子结构》0压下正确的d的结构》0压力下正确的最终结构》IV曲线。计算电流命令中的参数都很直观，手册上381页有说明。
b, T spectru, calculate transmission spectrum.要算什么条件下的光谱，比如要计算0.2V情况下的TS,可以直接用 i_v中的scf-0.2，此外参数中有个energy参数很讨厌,这个参数设置可以参看书上166页的分析，总之它就是我们要得到的T-E图形的横坐标（168页）。
c，MPSH, calculateprojected hamiltonian energy spctrum, 就是我们常看的lumo homo，意义与能带结构类似，没啥好说的，只要前面的结构没问题，就可以得出正确结果。详细的图形分析，要用到前线轨道理论。
d，电导，电导也是常用的分析方法。可以结合i-v曲线看。困难的是给你一个电导图形，你要知道它表达的意义，知道你计算结果能与现实的微米器件有什么联系。
e,dos,计算dos有几个，包括381，383，393.个人感觉困难的是如何看这些三维图形，而且图形不清楚。郁闷。

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