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fangyongxinxi新虫 (正式写手)
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【讨论】偏压下计算电子性质(模型优化方法，参数设置及意义)
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原文：http://cyh.xjtu.edu.cn/bbs/viewt ... &extra=page%3D1 原来以为看了书中两极系统的相关说明就可以直接工作，结果并不是这样的，因为manual说的并不详细,再加上自己是个假老练初出茅庐。自己的理论理解，但不一定对，大家一起共同讨论： 1. 模型优化方法： 我的理解是 :a, 首先建立中心部分（分子或纳米系统），在外加电场下优化（假设0， 1 ， 0.1，10个点，如果我们要算0-1的偏压下性质的话），目前知道能实现这个功能的软件有 Dmol, vasp, gaosi.这样我们就得到了各个偏压下分子的几何结构，也为算i-v性质做好了准备。b, 将10个优化好的几何结构放到两极系统中，固定表面原子，移动中心分子位置，在0偏压下计算 E-d 性质，找出0压时正确的d, 即各个几何结构的能量最低点,工作量挺大的，但也不定要全部算，因为我们只对一些偏压下的性质感兴趣。c，放出表面原子，优化整个散射区，最终的结构优化。 (有人建议说abc三个过程可以放一起，让atk自己优化；也有认说a只需要计算0情况就可以了；有的建议说bc过程，atk可以自己完成) 2. 电子性质的计算过程和参数设置 一般我们会考虑 i-v，,transmis spectru ，mpsh, 电导和 dos a, i-v，就按照书上lih2li的例子做。比如要算0-1v的 i-v，则可用0偏压下计算的中心分子结构》0压下正确的d的结构》0压力下正确的最终结构》IV曲线。计算电流命令中的参数都很直观，手册上381页有说明。 b, T spectru, calculate transmission spectrum.要算什么条件下的光谱，比如要计算0.2V情况下的TS,可以直接用 i_v中的scf-0.2，此外参数中有个energy参数很讨厌,这个参数设置可以参看书上166页的分析，总之它就是我们要得到的T-E图形的横坐标（168页）。 c，MPSH, calculateprojected hamiltonian energy spctrum, 就是我们常看的lumo homo，意义与能带结构类似， 没啥好说的，只要前面的结构没问题，就可以得出正确结果。详细的图形分析，要用到前线轨道理论。 d，电导，电导也是常用的分析方法。可以结合i-v曲线看。困难的是给你一个电导图形，你要知道它表达的意义，知道你计算结果能与现实的微米器件有什么联系。 e,dos,计算dos有几个，包括381，383，393.个人感觉困难的是如何看这些三维图形，而且图形不清楚。郁闷。 |
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2楼2009-09-21 12:50:30
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看这篇帖子又被翻起，谈谈我的看法。 1，模型优化 首先，ATK算IV的时候，默认几何结构在偏压下不会有改变。也就是说，优化好零电场偏压的几何结构后，加偏压根本不改变几何结构。所以没有你所说的abc三个步骤。 其次，大家一定会觉得很费解，凭什么零压的结构和有电场的结构不一样啊？那一定得用Dmol，VASP算有电场的优化结构。但是你想想啊，用Dmol，VASP算出来的电场，和我们平时说的电场是同样的事情吗？我们说的宏观电场是基于泊松方程的（同时也是ATK使用的方法），是电压的二次导，Dmol，VASP的电场呢？是点电荷模型。压根不是一码事。 所以，结论就是，别搅和。用ATK，就一直用ATK算到底。别中间还用其他软件。各家黑盒子里用的方法，基本假设都不一样。 2，电子性质 不多说了，楼主总结的不错。只是不知道楼主用的是什么版本的说明书。。。 |
3楼2009-09-21 21:30:05
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回freshgirl
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1.ATK关于模型优化如何加电场的问题 http://quantumwise.com/forum/index.php?topic=301.0 2.ATK一般都会和其他软件结合到一起用，但用处不一样而已。用ATK时，其他软件可以用来结构优化和建立模型，ATK主要计算非平衡格林函数相关问题。 3.你肯定VASP\DMOL\ATK中关于电场的计算模式及理论基础没有任何共同点？其实只要你是计算电场下材料的性质，参看分析各个软件的计算结果是很有帮助的，我正在做这样的事情，虽然目前还没有理想的结果。 |
5楼2009-09-23 09:17:04
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