| 查看: 3614 | 回复: 10 | ||||||
| 当前主题已经存档。 | ||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||||
[交流]
【讨论】成键，反键，非键的问题
|
||||||
|
请问，如何从DOS中看出成键，反键，非键，重谢。 最好有图解。 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 理论计算及软件的使用 | VASP | 能带和态密度分析 |
» 猜你喜欢
291 求调剂
已经有22人回复
-
296求调剂
已经有3人回复
-
一志愿北理工298英一数二求调剂
已经有11人回复
-
材料与化工调剂
已经有18人回复
-
080500求调剂
已经有14人回复
-
284求调剂
已经有7人回复
-
085800 能源动力求调剂
已经有5人回复
-
287求调剂
已经有20人回复
-
298求调剂
已经有10人回复
-
求调剂
已经有3人回复
7楼2009-12-07 09:07:13
六198
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1542.4
- 散金: 20
- 红花: 2
- 帖子: 697
- 在线: 92小时
- 虫号: 470500
- 注册: 2007-11-29
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
pengge(金币+10,VIP+0): 7-12 11:54
zxzj05(金币+3,VIP+0):3Q！ ^_^ 7-14 17:21
pengge(金币+10,VIP+0): 7-12 11:54
zxzj05(金币+3,VIP+0):3Q！ ^_^ 7-14 17:21
能态密度峰有重叠的对应着杂化态，没有重叠(重叠很小)的对应着非键态，至于属于成键还是反键，个人认为能量低的为成键能量高的为反键（这样说并不严格） 还是参考文献比较好 例如： 图中的虚线代表TM原子的DOS，与TDOS的差值部分为O的贡献。 As may be seen, there are no clear gaps between the ionic levels. The valence-band structure may be described as follows: The bottom, starting at approximately -8 eV (relative to E F ) is mainly O p derived but has a bonding TM eg–O p character. The corresponding antibonding e g bands are above E F . This is followed by a region of nonbonding O bands ( -6 eV to -2 eV), then hybridized TM t2g–Op bands from approximately -2 eV to just above E F [ Last edited by 六198 on 2009-7-11 at 14:15 ] |
2楼2009-07-11 11:19:41
六198
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1542.4
- 散金: 20
- 红花: 2
- 帖子: 697
- 在线: 92小时
- 虫号: 470500
- 注册: 2007-11-29
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2009-07-11 16:28:45
zlqaicry 
金虫 (正式写手)
无锡兰友电子
- 应助: 4 (幼儿园)
- 金币: 89
- 散金: 252
- 帖子: 544
- 在线: 25.6小时
- 虫号: 615653
- 注册: 2008-10-02
- 性别: GG
- 专业: 金属非晶态、准晶和纳米晶
4楼2009-07-11 16:58:38
