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【讨论】成键，反键，非键的问题
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请问，如何从DOS中看出成键，反键，非键，重谢。 最好有图解。 |
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 理论计算及软件的使用 | VASP | 能带和态密度分析 |
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3楼2009-07-11 16:28:45
六198
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pengge(金币+10,VIP+0): 7-12 11:54
zxzj05(金币+3,VIP+0):3Q！ ^_^ 7-14 17:21
pengge(金币+10,VIP+0): 7-12 11:54
zxzj05(金币+3,VIP+0):3Q！ ^_^ 7-14 17:21
能态密度峰有重叠的对应着杂化态，没有重叠(重叠很小)的对应着非键态，至于属于成键还是反键，个人认为能量低的为成键能量高的为反键（这样说并不严格） 还是参考文献比较好 例如： 图中的虚线代表TM原子的DOS，与TDOS的差值部分为O的贡献。 As may be seen, there are no clear gaps between the ionic levels. The valence-band structure may be described as follows: The bottom, starting at approximately -8 eV (relative to E F ) is mainly O p derived but has a bonding TM eg–O p character. The corresponding antibonding e g bands are above E F . This is followed by a region of nonbonding O bands ( -6 eV to -2 eV), then hybridized TM t2g–Op bands from approximately -2 eV to just above E F [ Last edited by 六198 on 2009-7-11 at 14:15 ] |
2楼2009-07-11 11:19:41
zlqaicry 
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