| 查看: 756 | 回复: 0 | |||
[交流]
ICP刻蚀中Au和GaAs的刻蚀速率比
|
|
在工艺一个步骤中想直接用Au做刻GaAs的掩膜，GaAs需要刻掉10um左右，请问现实吗？如果可以的话气体配比应该怎么调整 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
晶体的解离面用什么方法暴露出来
已经有1人回复
-
科研助理/讲师/副教授招聘 赣南师范大学先进封装前沿材料课题组
已经有0人回复
-
无机非金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有101人回复
-
科研助理招聘 赣南师范大学先进封装前沿材料课题组
已经有0人回复
-
27博士自荐
已经有0人回复
-
用于UV胶水涂布的PO 、PET、 PVC膜
已经有2人回复
-
沙特法赫德国王石油矿产大学（KFUPM）材料科学与工程系杨炯副教授诚聘博士后
已经有2人回复
-
南农工学院2027生物能源（方真教授）组(招3名博士生-考核制， 15位左右硕士)
已经有0人回复
-
申博帖
已经有0人回复
10