| 查看: 682 | 回复: 0 | |||
[交流]
ICP刻蚀中Au和GaAs的刻蚀速率比
|
|
在工艺一个步骤中想直接用Au做刻GaAs的掩膜，GaAs需要刻掉10um左右，请问现实吗？如果可以的话气体配比应该怎么调整 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
酚醛树脂性能测试
已经有1人回复
-
同一篇文章，用不同账号投稿对编辑决定是否送审有没有影响？
已经有3人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有201人回复
-
郑州大学田佳佳团队诚招2026年入学博士研究生
已经有0人回复
-
黄色氧化锆
已经有0人回复
-
香江学者计划2026年度申请启动！港科大李桂君教授课题组
已经有1人回复
-
材料科学基础
已经有0人回复
-
【求助】静电纺丝PVA膜交联硼酸
已经有0人回复
-
求博导推荐
已经有1人回复
-
申博求助
已经有4人回复