| 查看: 725 | 回复: 0 | |||
[交流]
ICP刻蚀中Au和GaAs的刻蚀速率比
|
|
在工艺一个步骤中想直接用Au做刻GaAs的掩膜，GaAs需要刻掉10um左右，请问现实吗？如果可以的话气体配比应该怎么调整 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
天津理工大学功能晶体研究院（晶体材料全国重点实验室）招收2026年博士研究生
已经有0人回复
-
天津理工大学功能晶体研究院（晶体材料全国重点实验室）招收2026年博士研究生
已经有1人回复
-
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有65人回复
-
天津理工大学功能晶体研究院（晶体材料全国重点实验室）招收2026年博士研究生
已经有0人回复
-
天津理工大学功能晶体研究院（晶体材料全国重点实验室）招收2026年博士研究生
已经有0人回复
-
安徽理工大学矿业工程学院接收调剂研究生
已经有1人回复
-
景德镇某高校环境工程专业，需大量调剂名额
已经有0人回复
-
河南师范大学环境学院 2026年硕士研究生招生第二批调剂通知
已经有0人回复
-
天津理工大学功能晶体研究院（晶体材料全国重点实验室）招收2026年博士研究生
已经有2人回复
-
天津理工大学功能晶体研究院（晶体材料全国重点实验室）招收2026年博士研究生
已经有1人回复
-
天津理工大学功能晶体研究院（晶体材料全国重点实验室）招收2026年博士研究生
已经有0人回复