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ICP刻蚀中Au和GaAs的刻蚀速率比
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在工艺一个步骤中想直接用Au做刻GaAs的掩膜，GaAs需要刻掉10um左右，请问现实吗？如果可以的话气体配比应该怎么调整 发自小木虫Android客户端 |
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