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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【交流】算空位形成能的一些问题
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zzkkkkk

新虫 (小有名气)

[交流] 【交流】算空位形成能的一些问题

在计算氧空位形成能时，用公式

那么请问，在计算{{E}_{defective}}时，需要调整INCAR里的NELECT吗，假设原来的完整的结构里有N个电子，失去氧以后只有N-6个电子还是N-4个？这一点想不明白，请大家指教！
如果这个结构中本来就含有一定的O的非化学计量比呢？比如$I{{n}_{2}}{{O}_{3-x}}$ 这种？
谢谢大家。
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1楼2020-04-02 15:19:36
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huyaoqiao

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by zzkkkkk at 2020-04-04 16:53:09
好的谢谢。可是我在计算表面氧空位形成能的时候，考虑了偶极校正，又加了NELECT的设置，结果计算报错，请问要怎么解决呢？之前不单独设置NELECT的时候，加了偶极校正是没有error的
...

没做过偶及校正的计算，不太清楚
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6楼2020-04-05 00:02:39
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zzkkkkk

新虫 (小有名气)
latex公式加载不出来。。
O(lattice)=Vo(2个正电荷)+2e
Eform=Edef+1/2O2-Eper.
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2楼2020-04-02 15:22:26
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huyaoqiao

铁虫 (小有名气)
★
zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
那么请问，在计算{{E}_{defective}}时，需要调整INCAR里的NELECT吗，假设原来的完整的结构里有N个电子，失去氧以后只有N-6个电子还是N-4个？这一点想不明白，请大家指教！

不需要考虑这么深，你想复杂了。O原子电子数目为6，在POTCAR里面有写，VASP会自动计算出来的。
你可以这样进行。先算neutral体系的，不用设置NELECT（即采用默认值）。计算完之后，从OUTCAR读取NELECT的值，即为neutral下体系总的电子数
接着你可以算带电O空位缺陷的。如果想要+1带电，则在INCAR中指明NELECT（比中性时候少1）。其他带电情况以此类推。

如果这个结构中本来就含有一定的O的非化学计量比呢？比如$I{{n}_{2}}{{O}_{3-x}}$ 这种？

与原结构和分子式无关，仍然可以用上述方法。
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4楼2020-04-03 00:38:28
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zzkkkkk

新虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by huyaoqiao at 2020-04-03 00:38:28
那么请问，在计算{{E}_{defective}}时，需要调整INCAR里的NELECT吗，假设原来的完整的结构里有N个电子，失去氧以后只有N-6个电子还是N-4个？这一点想不明白，请大家指教！

不需要考虑这么深，你想复杂了。O原子电 ...

好的谢谢。可是我在计算表面氧空位形成能的时候，考虑了偶极校正，又加了NELECT的设置，结果计算报错，请问要怎么解决呢？之前不单独设置NELECT的时候，加了偶极校正是没有error的

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5楼2020-04-04 16:53:09
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夜雪飞沙3楼
2020-04-02 17:15   回复  
zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
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