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[交流]
【交流】算空位形成能的一些问题
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在计算氧空位形成能时,用公式 那么请问,在计算{{E}_{defective}}时,需要调整INCAR里的NELECT吗,假设原来的完整的结构里有N个电子,失去氧以后只有N-6个电子还是N-4个?这一点想不明白,请大家指教! 如果这个结构中本来就含有一定的O的非化学计量比呢?比如$I{{n}_{2}}{{O}_{3-x}}$ 这种? 谢谢大家。 |
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zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
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那么请问,在计算{{E}_{defective}}时,需要调整INCAR里的NELECT吗,假设原来的完整的结构里有N个电子,失去氧以后只有N-6个电子还是N-4个?这一点想不明白,请大家指教! 不需要考虑这么深,你想复杂了。O原子电子数目为6,在POTCAR里面有写,VASP会自动计算出来的。 你可以这样进行。先算neutral体系的,不用设置NELECT(即采用默认值)。计算完之后,从OUTCAR读取NELECT的值,即为neutral下体系总的电子数 接着你可以算带电O空位缺陷的。如果想要+1带电,则在INCAR中指明NELECT(比中性时候少1)。其他带电情况以此类推。 如果这个结构中本来就含有一定的O的非化学计量比呢?比如$I{{n}_{2}}{{O}_{3-x}}$ 这种? 与原结构和分子式无关,仍然可以用上述方法。 |
4楼2020-04-03 00:38:28
2楼2020-04-02 15:22:26
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好的谢谢。可是我在计算表面氧空位形成能的时候,考虑了偶极校正,又加了NELECT的设置,结果计算报错,请问要怎么解决呢?之前不单独设置NELECT的时候,加了偶极校正是没有error的 发自小木虫Android客户端 |
5楼2020-04-04 16:53:09
6楼2020-04-05 00:02:39
简单回复
夜雪飞沙3楼
2020-04-02 17:15
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zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
顶! 发自小木虫Android客户端













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