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[交流]
【交流】算空位形成能的一些问题
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在计算氧空位形成能时，用公式 那么请问，在计算{{E}_{defective}}时，需要调整INCAR里的NELECT吗，假设原来的完整的结构里有N个电子，失去氧以后只有N-6个电子还是N-4个？这一点想不明白，请大家指教！ 如果这个结构中本来就含有一定的O的非化学计量比呢？比如$I{{n}_{2}}{{O}_{3-x}}$ 这种？ 谢谢大家。 |
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zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
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那么请问，在计算{{E}_{defective}}时，需要调整INCAR里的NELECT吗，假设原来的完整的结构里有N个电子，失去氧以后只有N-6个电子还是N-4个？这一点想不明白，请大家指教！ 不需要考虑这么深，你想复杂了。O原子电子数目为6，在POTCAR里面有写，VASP会自动计算出来的。 你可以这样进行。先算neutral体系的，不用设置NELECT（即采用默认值）。计算完之后，从OUTCAR读取NELECT的值，即为neutral下体系总的电子数 接着你可以算带电O空位缺陷的。如果想要+1带电，则在INCAR中指明NELECT（比中性时候少1）。其他带电情况以此类推。 如果这个结构中本来就含有一定的O的非化学计量比呢？比如$I{{n}_{2}}{{O}_{3-x}}$ 这种？ 与原结构和分子式无关，仍然可以用上述方法。 |
4楼2020-04-03 00:38:28
2楼2020-04-02 15:22:26
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好的谢谢。可是我在计算表面氧空位形成能的时候，考虑了偶极校正，又加了NELECT的设置，结果计算报错，请问要怎么解决呢？之前不单独设置NELECT的时候，加了偶极校正是没有error的 发自小木虫Android客户端 |
5楼2020-04-04 16:53:09
6楼2020-04-05 00:02:39
简单回复
夜雪飞沙3楼
2020-04-02 17:15
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zzkkkkk(金币+1): 谢谢参与
顶！ 发自小木虫Android客户端