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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » QE(Pwscf) » 新手提问：利用BURAI 模拟金刚石结构硅 能带能隙怎么是0.6eV，和半导体1.12ev不一样
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sd614713

铜虫 (小有名气)

[求助] 新手提问：利用BURAI 模拟金刚石结构硅 能带能隙怎么是0.6eV，和半导体1.12ev不一样 已有3人参与

新手问下：
burai模拟的金刚石结构硅能带能隙是0.6eV.
和bragitoff中一样 https://www.bragitoff.com/2017/11/silicon-dft-study/它的也是0.6eV
但是硅半导体能级不是1.12eV么
所有流程都是按照b站教程里的QUANTUM ESPRESSO 中burai的方法啊
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希望能在2012不单身
1楼 2020-02-29 05:20:28
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leeeru

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

如果算Band gap,我觉得tight binding更准确，而且速度快多了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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5楼2020-05-11 02:50:43
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漫天飘雪

版主 (知名作家)

认真做事，踏实做人
dft会低估

发自小木虫Android客户端
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» 本帖已获得的红花（最新10朵）

sd614713
http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
2楼2020-02-29 07:56:19
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sd614713

铜虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 漫天飘雪 at 2020-02-29 07:56:19
dft会低估

是我设置的问题么，还是系统问题？
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希望能在2012不单身
3楼2020-02-29 21:31:11
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huyaoqiao

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
DFT会系统性的低估band gap，这是公认的事实，不是由你的设置造成的，无需担心
赞一下 回复此楼
4楼2020-02-29 23:21:43
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查看全部 8 个回答
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