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sd614713

铜虫 (小有名气)

[求助] 新手提问:利用BURAI 模拟金刚石结构硅 能带能隙怎么是0.6eV,和半导体1.12ev不一样 已有3人参与

新手问下:
burai模拟的金刚石结构硅能带能隙是0.6eV.
和bragitoff中一样 https://www.bragitoff.com/2017/11/silicon-dft-study/它的也是0.6eV
但是硅半导体能级不是1.12eV么
所有流程都是按照b站教程里的QUANTUM ESPRESSO 中burai的方法啊
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希望能在2012不单身
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sd614713

铜虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 漫天飘雪 at 2020-02-29 07:56:19
dft会低估

是我设置的问题么,还是系统问题?
希望能在2012不单身
3楼2020-02-29 21:31:11
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漫天飘雪

版主 (知名作家)

认真做事,踏实做人

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
2楼2020-02-29 07:56:19
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huyaoqiao

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
DFT会系统性的低估band gap,这是公认的事实,不是由你的设置造成的,无需担心
4楼2020-02-29 23:21:43
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leeeru

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

如果算Band gap,我觉得tight binding更准确,而且速度快多了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
5楼2020-05-11 02:50:43
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