| 查看: 797 | 回复: 0 | ||
shana1014金虫 (初入文坛)
|
[求助]
MAPbI3单晶块体和多晶薄膜的PL峰位差异原因
|
|
大家好，我想求助一个关于钙钛矿材料光致发光谱（pl）分析的问题。 材料是：mapbi3的单晶块体材料和多晶薄膜。我发现两者pl峰位有明显差异，单晶的pl主峰位对应波长比薄膜的pl峰位波长要大很多，文献只解释说是材料本征的性质造成的。所以我想请问造成单晶和多晶的pl峰位差异的本征原因到底是什么？如果是由于多晶薄膜中晶界的存在，使得缺陷能级更多，那也应该是多晶薄膜的pl峰位对应的波长更大才对，但事实是相反的，求助大佬帮助解释一下！ |
回复此楼» 猜你喜欢
卷绕机为什么能精准卷绕电芯？锂优技术全解析
已经有0人回复
-
西班牙巴塞罗那自治大学博士招聘|欧洲共同基金项目|物理/材料/化学/微电子等专业
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有244人回复
-
一套材料电磁参数测试系统大约需要多少钱？
已经有2人回复
-
国内树枝状聚合物现在进入量产了吗？
已经有11人回复
-
球磨粉体时遇到了大的问题，请指教！
已经有1人回复
-
球磨粉体时遇到了大的问题，请指教！
已经有15人回复
-
请教大神，EXPGUI 经常出现红线太矮 或者与峰位不匹配 或者中途报错 咋办
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
