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shp

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】制绒机理

向各位大侠请教:
单晶硅碱法制绒机理除了背面键理论即(100)与(111)腐蚀速率的差异外,还有一个电化学腐蚀机理,这方面了解的很少,请大家帮忙解释一下或是提供一些文献哦,谢谢啦
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shp

金虫 (正式写手)

请大家踊跃参与哦,会有奖励
2楼2009-06-29 20:40:57
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Sahnrain

铁杆木虫 (正式写手)

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zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流 6-29 22:28
在目前的工业化生产中都是以晶面腐蚀速率为依据计算的,那个什么电化学腐蚀机理几乎没人使用。单晶硅的酸腐蚀机理尚需探讨,具体的资料你可以看下德国著名公司Rena世界一流的制绒设备生产商那里查下相关资料,酸腐蚀和碱腐蚀解释的清清楚楚,况且大规模应用于工业生产,有实践证明的。
3楼2009-06-29 21:16:50
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Sahnrain

铁杆木虫 (正式写手)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
zt970831(金币+2,VIP+0):感谢您的交流 6-29 22:28
Seidel 于1990 年提出了目前最具说服力的电化学模型。电化学模型认为各向异性腐蚀是由于硅表面悬挂键密度和背键结构、能级不同而引起的;并认同Palik 在其论文中所沦述的OH- 是此反应的主要反应物。电化学模型认为电子在Si —Si 背键上和导带之间的能量差主要与激活能有关。对KOH 溶液激活能大约为0. 6 eV ,对整个反应而言是速率控制的;而对EPW溶液激活能大约为0. 4 eV ,则该步骤是扩散控制的反应。
4楼2009-06-29 21:22:13
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