| 查看: 1050 | 回复: 0 | ||||
deletep新虫 (初入文坛)
|
[求助]
带电缺陷问题求教
|
|
有几个关于带电缺陷计算的问题，请大家不吝赐教 1.现有大部分文献关于缺陷形成能的讨论大部分都是通过计算不同极端生长条件下缺陷各个带电状态的形成能来确定缺陷的价态。这种算法对于辐照缺陷是否适用呢！例如中子辐照是在材料使用过程中，由于中子的轰击而造成原子偏离原始晶格位置而造成的了很多缺陷，那么这种缺陷和原始生长过程中产生的缺陷是否一样呢。 2.关于杂质缺陷。我的理解是杂质进入材料内部和材料发生相互作用从而带电，那么如果杂质元素不会和材料发生化学反应，那这中杂质是否会带电呢。而现在通用的计算都是直接带电离子直接放入体系计算形成能，这种方法是否可靠呢？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
有多少人是今天查系统知道结果的？
已经有14人回复
-
我不理解！
已经有8人回复
-
2026国自然函评费到账
已经有25人回复
-
2026年8月25日国自然放榜前突然收到列入评审专家邮件，有关系吗？
已经有28人回复
-
能否退出参与的面上项目解除限项
已经有26人回复
-
出来了
已经有9人回复
-
只有每年这种时候来逛逛小木虫
已经有28人回复
-
哪位高人中了，把查询到的截图贴出来让我看看，让我长长见识
已经有5人回复
-
为什么国自然不能直接公布
已经有4人回复
-
系统查不到
已经有9人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
28