| 查看: 901 | 回复: 0 | |||
deletep新虫 (初入文坛)
|
[求助]
带电缺陷问题求教
|
|
有几个关于带电缺陷计算的问题，请大家不吝赐教 1.现有大部分文献关于缺陷形成能的讨论大部分都是通过计算不同极端生长条件下缺陷各个带电状态的形成能来确定缺陷的价态。这种算法对于辐照缺陷是否适用呢！例如中子辐照是在材料使用过程中，由于中子的轰击而造成原子偏离原始晶格位置而造成的了很多缺陷，那么这种缺陷和原始生长过程中产生的缺陷是否一样呢。 2.关于杂质缺陷。我的理解是杂质进入材料内部和材料发生相互作用从而带电，那么如果杂质元素不会和材料发生化学反应，那这中杂质是否会带电呢。而现在通用的计算都是直接带电离子直接放入体系计算形成能，这种方法是否可靠呢？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
请问哪里可以有青B申请的本子可以借鉴一下。
已经有4人回复
-
真诚求助：手里的省社科项目结项要求主持人一篇中文核心，有什么渠道能发核心吗
已经有6人回复
-
孩子确诊有中度注意力缺陷
已经有14人回复
-
三甲基碘化亚砜的氧化反应
已经有4人回复
-
请问下大家为什么这个铃木偶联几乎不反应呢
已经有5人回复
-
请问有评职称，把科研教学业绩算分排序的高校吗
已经有5人回复
-
2025冷门绝学什么时候出结果
已经有3人回复
-
天津工业大学郑柳春团队欢迎化学化工、高分子化学或有机合成方向的博士生和硕士生加入
已经有4人回复
-
康复大学泰山学者周祺惠团队招收博士研究生
已经有6人回复
-
AI论文写作工具：是科研加速器还是学术作弊器？
已经有3人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
