| 查看: 991 | 回复: 0 | |||
deletep新虫 (初入文坛)
|
[求助]
带电缺陷问题求教
|
|
有几个关于带电缺陷计算的问题，请大家不吝赐教 1.现有大部分文献关于缺陷形成能的讨论大部分都是通过计算不同极端生长条件下缺陷各个带电状态的形成能来确定缺陷的价态。这种算法对于辐照缺陷是否适用呢！例如中子辐照是在材料使用过程中，由于中子的轰击而造成原子偏离原始晶格位置而造成的了很多缺陷，那么这种缺陷和原始生长过程中产生的缺陷是否一样呢。 2.关于杂质缺陷。我的理解是杂质进入材料内部和材料发生相互作用从而带电，那么如果杂质元素不会和材料发生化学反应，那这中杂质是否会带电呢。而现在通用的计算都是直接带电离子直接放入体系计算形成能，这种方法是否可靠呢？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
地球科学部D01口青年基金，最低几A几B几C才能有几率中呀。
已经有5人回复
-
航天502所 高瑛珂博士 婚内征婚 欺骗女性开房
已经有27人回复
-
26/27申博
已经有4人回复
-
博士申请
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
