| 查看: 959 | 回复: 0 | |||
deletep新虫 (初入文坛)
|
[求助]
带电缺陷问题求教
|
|
有几个关于带电缺陷计算的问题，请大家不吝赐教 1.现有大部分文献关于缺陷形成能的讨论大部分都是通过计算不同极端生长条件下缺陷各个带电状态的形成能来确定缺陷的价态。这种算法对于辐照缺陷是否适用呢！例如中子辐照是在材料使用过程中，由于中子的轰击而造成原子偏离原始晶格位置而造成的了很多缺陷，那么这种缺陷和原始生长过程中产生的缺陷是否一样呢。 2.关于杂质缺陷。我的理解是杂质进入材料内部和材料发生相互作用从而带电，那么如果杂质元素不会和材料发生化学反应，那这中杂质是否会带电呢。而现在通用的计算都是直接带电离子直接放入体系计算形成能，这种方法是否可靠呢？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
296求调剂
已经有4人回复
-
湖北工业大学 生命科学与健康学院-课题组招收2026级食品/生物方向硕士
已经有5人回复
-
085601材料工程专硕求调剂
已经有4人回复
-
341求调剂
已经有6人回复
-
考研化学学硕调剂，一志愿985
已经有6人回复
-
302求调剂
已经有9人回复
-
328求调剂，英语六级551，有科研经历
已经有6人回复
-
308求调剂
已经有4人回复
-
化学工程321分求调剂
已经有14人回复
-
材料专硕326求调剂
已经有7人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
