| 查看: 913 | 回复: 0 | |||
deletep新虫 (初入文坛)
|
[求助]
带电缺陷问题求教
|
|
有几个关于带电缺陷计算的问题，请大家不吝赐教 1.现有大部分文献关于缺陷形成能的讨论大部分都是通过计算不同极端生长条件下缺陷各个带电状态的形成能来确定缺陷的价态。这种算法对于辐照缺陷是否适用呢！例如中子辐照是在材料使用过程中，由于中子的轰击而造成原子偏离原始晶格位置而造成的了很多缺陷，那么这种缺陷和原始生长过程中产生的缺陷是否一样呢。 2.关于杂质缺陷。我的理解是杂质进入材料内部和材料发生相互作用从而带电，那么如果杂质元素不会和材料发生化学反应，那这中杂质是否会带电呢。而现在通用的计算都是直接带电离子直接放入体系计算形成能，这种方法是否可靠呢？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
上海工程技术大学【激光智能制造】课题组招收硕士
已经有6人回复
-
带资进组求博导收留
已经有11人回复
-
自荐读博
已经有5人回复
-
求个博导看看
已经有16人回复
-
上海工程技术大学张培磊教授团队招收博士生
已经有4人回复
-
求助院士们，这个如何合成呀
已经有4人回复
-
临港实验室与上科大联培博士招生1名
已经有9人回复
-
写了一篇“相变储能技术在冷库中应用”的论文，论文内容以实验为主，投什么期刊合适？
已经有6人回复
-
最近几年招的学生写论文不引自己组发的文章
已经有11人回复
-
中科院杭州医学所招收博士生一名（生物分析化学、药物递送）
已经有3人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
