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[求助]
以下三道题目请各位帮忙解答一下，万分感谢……
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21.6 Find the a-SiO2 layer thickness x(t0) that is the crossover between the linear and parabolic limits [Hint: Set the expressions for x(t) given in Eqs.(21.54) and (21.55) equal to each other.] How would you expect this thickness to vary with temperature? Eqs.(21.54): x(t)=(k_s c_0 t)/(2N(O))=(B^' t)/A^' Eqs.(21.55): x^2 (t)=(Dc_0 t)/(N(O))=B^' t 求出a-SiO2层厚度x(t0)，它是线性和抛物线极限的交点[提示:将等式(21.54)和(21.55)中给出的x(t)表达式设为相等。你认为这种厚度会怎样随温度而变化? Eqs.(21.54): x(t)=(k_s c_0 t)/(2N(O))=(B^' t)/A^' Eqs.(21.55): x^2 (t)=(Dc_0 t)/(N(O))=B^' t 21.7 For binary alloys such as Fe1-xCx and Al1-xCux; (a) Calculate the at %s of C in Fe1-xCx alloys with 0.1, 1.0, and 9 wt%C. (b) Calculate the at %s of Cu in Al1-xCux alloys with 0.1, 1.0, and 9 wt%Cu. 用于二元合金，如Fe1-xCx和Al1-xCux; (a)用0.1、1.0和9 wt%C计算Fe1-xCx合金中C的at %s。 (b)用0.1、1.0和9 wt%Cu计算Al1-xCux合金中Cu的at %s。 21.8 In a Fe1-xCx alloy, assume that there are 108 dislocation lines per square centimeter present. Carbon atoms migrate to the dislocation cores where cores where they find lower energy sites. How much C is required to saturate all the dislocation cores (i.e., to place one C atom per atomic plane along each dislocation line)? Express your answer as a concentration of C atomic per cubic meter, as an atomic fraction x, and as a weight percent. 在Fe1-xCx合金中，假设每平方厘米有108位错线。碳原子迁移到位错核中，在那里他们可以找到低能点。需要多少C来饱和所有的位错磁芯(即。，在每个原子平面上沿每个位错线放置一个C原子)?把你的答案表示成每立方米C个原子的浓度，原子分数x，重量百分比。 |
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