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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 半导体的禁带宽度变化原因
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玄月之人

银虫 (小有名气)

[求助] 半导体的禁带宽度变化原因 已有2人参与

有个问题小弟想问一下各位朋友。就是长半导体薄膜时，比如GaN，刚开始是非晶状态，然后厚度达到一定厚度时开始结晶。这样的话，薄膜的禁带宽度会发生变化吗？我们通过测吸收算出来的带宽是逐渐变小的，我现在不知道是厚度变化引起的，还是这种结晶状态引起的？或者有其他什么原因。各位朋友如果有知道的话还麻烦告知一下，如果有文献的话就更好了。
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1楼 2019-07-30 22:19:05
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--八云--

专家顾问 (知名作家)

博览众家之长，终集百家之短

【答案】应助回帖

你在什么衬底上长的GaN？

考虑晶格弛豫了么？
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人原本是不死的，后来他创造了死亡，故而人们歌颂他。
6楼2019-09-10 19:07:05
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玄月之人

银虫 (小有名气)
有木有大神给解答一下啊
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2楼2019-07-31 10:04:14
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玄月之人

银虫 (小有名气)
没有人吗？如果没有人的话，我一会再来问一次。。。
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3楼2019-07-31 15:36:25
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liguojing

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你测试的时候吸收边红移了，有没有可能是杂质能级例如氧空位等导致？另外，我想问一下你的薄膜厚度，我以前做薄膜，测吸收会有双波干涉现象，所以这个带边 不是很好确定。
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4楼2019-08-26 15:23:44
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