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玄月之人

银虫 (小有名气)

[求助] 半导体的禁带宽度变化原因 已有2人参与

有个问题小弟想问一下各位朋友。就是长半导体薄膜时,比如GaN,刚开始是非晶状态,然后厚度达到一定厚度时开始结晶。这样的话,薄膜的禁带宽度会发生变化吗?我们通过测吸收算出来的带宽是逐渐变小的,我现在不知道是厚度变化引起的,还是这种结晶状态引起的?或者有其他什么原因。各位朋友如果有知道的话还麻烦告知一下,如果有文献的话就更好了。
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玄月之人

银虫 (小有名气)

有木有大神给解答一下啊
2楼2019-07-31 10:04:14
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玄月之人

银虫 (小有名气)

没有人吗?如果没有人的话,我一会再来问一次。。。
3楼2019-07-31 15:36:25
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liguojing

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你测试的时候吸收边红移了,有没有可能是杂质能级例如氧空位等导致?另外,我想问一下你的薄膜厚度,我以前做薄膜,测吸收会有双波干涉现象,所以这个带边 不是很好确定。
4楼2019-08-26 15:23:44
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理工小伟

木虫 (著名写手)

那可能是缺陷能级,氧化物可能性比较大

发自小木虫IOS客户端
精于勤 荒于嬉
5楼2019-09-04 21:49:54
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--八云--

专家顾问 (知名作家)

博览众家之长,终集百家之短

【答案】应助回帖

你在什么衬底上长的GaN?

考虑晶格弛豫了么?
人原本是不死的,后来他创造了死亡,故而人们歌颂他。
6楼2019-09-10 19:07:05
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涛涛他姐姐

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 玄月之人 at 2019-07-31 15:36:25
没有人吗?如果没有人的话,我一会再来问一次。。。

你用啥方法长的薄膜呀
7楼2019-09-17 20:36:24
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