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wangjia11s

木虫 (正式写手)

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[求助] 关于H2-TPD定量已有1人参与

如题，我使用TCD检测器做H2-TPD，由于没有定量环，所以想着用CuO的做标准物质做一条标准曲线。具体的做法如下，现在400度对氧化铜预还原1个小时，然后在5%H2/Ar下降至室温，并保持吸附一个小时，之后再Ar下吹扫一个小时，然后程序升温到600度。之所以这样做，是想和其他样品TPD的过程保持一致，然后通过关联CuO的质量（理论上可以算出消耗的H2）与峰面积的关系。但是现在出现的问题是，对CuO这样做的时候，其TPD过程中至出现一个非常小的峰（50mg CuO），这样不知道该如何做了？能否直接对氧化铜不预还原，直接按照TPR的峰面积和氧化铜质量进行关联后，作为其他样TPD峰面积的矫正？

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1楼2019-07-17 21:59:44

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ts63

铜虫 (正式写手)

2011

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引用回帖:

8楼: Originally posted by zyhou at 2019-08-25 08:42:40
我发过一个帖子，等一下给你找找。http://muchong.com/t-11711445-1
H-TPD测分散度不准，有多层吸附，脉冲吸附比TPD更可靠。10多年前，没有钱做很多TEM，我们也做过很多脉冲吸附。没有想到有人发出了专门的文章。...

非常感谢！

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