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wangjia11s木虫 (正式写手)
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关于H2-TPD定量 已有1人参与
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| 如题，我使用TCD检测器做H2-TPD，由于没有定量环，所以想着用CuO的做标准物质做一条标准曲线。具体的做法如下，现在400度对氧化铜预还原1个小时，然后在5%H2/Ar下降至室温，并保持吸附一个小时，之后再Ar下吹扫一个小时，然后程序升温到600度。 之所以这样做，是想和其他样品TPD的过程保持一致，然后通过关联CuO的质量（理论上可以算出消耗的H2）与峰面积的关系。 但是现在出现的问题是，对CuO这样做的时候，其TPD过程中至出现一个非常小的峰（50mg CuO），这样不知道该如何做了？ 能否直接对氧化铜不预还原，直接按照TPR的峰面积和氧化铜质量进行关联后，作为其他样TPD峰面积的矫正？ |
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【答案】应助回帖
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我发过一个帖子，等一下给你找找。http://muchong.com/t-11711445-1 H-TPD测分散度不准，有多层吸附，脉冲吸附比TPD更可靠。10多年前，没有钱做很多TEM，我们也做过很多脉冲吸附。没有想到有人发出了专门的文章。 |
8楼2019-08-25 08:42:40
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2楼2019-07-17 22:21:45
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【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
| 氧化铜只能做还原耗氢的标准，不能做TPD测吸附氢的标准，因为氢气脱附量和分散度、载体、预处理条件等诸多因素有关 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
wangjia11s3楼2019-07-18 07:56:02
wangjia11s
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5楼2019-07-18 08:15:40
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