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[交流]
询问一下关于晶体缺陷的问题
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我现在做的理论基于氧化物体系，遇到问题是，氧化物体系第一很难形空穴掺杂，第二，对于不掺杂的单晶，也无法避免氧空位的存在。我这里想问的是，对于半导体材料比如GaAs能否做到单晶的缺陷浓度极低，那么对于氧化物，能否做到其最低缺陷密度能够与半导体GaAs的最低缺陷密度在一个数量级，谢谢了 [ Last edited by 伯庸 on 2009-5-26 at 14:17 ] |
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