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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Siesta&Smeagol&Atk » 【求助】散射区分子是不是得是周期性的
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freshgirl

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】散射区分子是不是得是周期性的

不好意思各位，我问了很多建模和局部优化的问题。。。

请看我的这个散射区模型，见图
三层Si + 中间的SiO2分子

我查过文献后，得到这种SiO2是和Si界面较好的结合。下面有两个问题：
1，这个SiO2分子团，边界的Si原子是不饱和的。也不具有周期性结构。这样能直接优化吗？

2，继续优化顺序的问题，先撇开电极不优化。我是不是需要
a，优化散射区左右三层Si，固定电极+SiO2分子；
b，优化整个SiO2分子，固定电极+散射区Si surface；
c，优化Si/SiO2界面，比如这里我只取一层Si和一层SiO2；
d，完全不做整体优化，abc三部分优化完后，直接连起来算IV。节省时间。

问了两个问题，悬赏6个金币。
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1楼 2009-05-22 22:31:32
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wei.ji

木虫 (正式写手)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
zdhlover(金币+2,VIP+0):谢谢，欢迎常来 5-29 01:19
如果atk的理论框架没变的话，电极和中心区的界面处应该满足若干连续性条件，有效势，电荷等等。 也就是说，atk所谓的surface layer在界面处与lead的电荷和有效势应该是一样的。固体的屏蔽长度（大概叫这个名字吧）大概跟电荷密度的平方根成反比，所以金属的屏蔽要比半导体好。通常认为贵金属（金银铜之类的）至少至少需要三层来屏蔽某势能/电荷变化，而半导体要更多些。所以。。。我们的经验是：三层金属经常有问题，4层可以接受，5层比较理想
引用回帖:
Originally posted by hora0212 at 2009-5-23 19:17:
是否周期性没有关系，我看过算富勒烯的，那就是个量子点，毫无周期性可言。
surface layer的选择，我记得只是为了让两个电极没有相互作用而设置的，有次我算一个结构的时候surface layer调整为0，而且本身算的东 ...

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http://sim.phys.ruc.edu.cn
6楼2009-05-27 03:16:55
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spur

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 5-23 16:31
freshgirl(金币+1,VIP+0):谢谢参与 5-24 08:53
整个体系直接优化就可以了，或者固定电极优化散射区也可。
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2楼2009-05-23 08:58:33
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sunray55

银虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 5-23 16:31
freshgirl(金币+2,VIP+0):谢谢~ 5-24 08:54
引用回帖:
Originally posted by freshgirl at 2009-5-22 22:31:
不好意思各位，我问了很多建模和局部优化的问题。。。

请看我的这个散射区模型，见图
三层Si + 中间的SiO2分子

我查过文献后，得到这种SiO2是和Si界面较好的结合。下面有两个问题：
1，这个SiO2分子团，边 ...

不饱和，没周期性的结构一样可以优化，而且必须优化
固定电极（默认）和表面两层；优化第一层Si和整个SiO2；
优化和输运在VNL中可以一起设置，不需要分开做。
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3楼2009-05-23 13:55:03
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wei.ji

木虫 (正式写手)
★ ★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 5-23 16:31
freshgirl(金币+1,VIP+0):请问你这个结论是如何推出的？希望解释一下，谢谢 5-24 08:54
三层Si 太少了，少说5、6层
引用回帖:
Originally posted by freshgirl at 2009-5-22 22:31:
不好意思各位，我问了很多建模和局部优化的问题。。。

请看我的这个散射区模型，见图
三层Si + 中间的SiO2分子

我查过文献后，得到这种SiO2是和Si界面较好的结合。下面有两个问题：
1，这个SiO2分子团，边 ...

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http://sim.phys.ruc.edu.cn
4楼2009-05-23 15:13:40
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