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【求助】散射区分子是不是得是周期性的
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不好意思各位，我问了很多建模和局部优化的问题。。。 请看我的这个散射区模型，见图 三层Si + 中间的SiO2分子 我查过文献后，得到这种SiO2是和Si界面较好的结合。下面有两个问题： 1，这个SiO2分子团，边界的Si原子是不饱和的。也不具有周期性结构。这样能直接优化吗？ 2，继续优化顺序的问题，先撇开电极不优化。我是不是需要 a，优化散射区左右三层Si，固定电极+SiO2分子； b，优化整个SiO2分子，固定电极+散射区Si surface； c，优化Si/SiO2界面，比如这里我只取一层Si和一层SiO2； d，完全不做整体优化，abc三部分优化完后，直接连起来算IV。节省时间。 问了两个问题，悬赏6个金币。 |
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是否周期性没有关系，我看过算富勒烯的，那就是个量子点，毫无周期性可言。 surface layer的选择，我记得只是为了让两个电极没有相互作用而设置的，有次我算一个结构的时候surface layer调整为0，而且本身算的东西也很小，提示的错误就是电极之间有相互作用，interaction between electrodes？好像有这几个单词的。所以，只要surface layer 够用就可以了，不要求一定要好几层，我算的东西一般只要2-4层。 关于优化，3楼是对的，中间分子必须优化，优化以后拖入到电极里，直接优化计算输运就可以了。 |
5楼2009-05-23 19:17:10
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
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如果atk的理论框架没变的话，电极和中心区的界面处应该满足若干连续性条件，有效势，电荷等等。 也就是说，atk所谓的surface layer在界面处与lead的电荷和有效势应该是一样的。固体的屏蔽长度（大概叫这个名字吧）大概跟电荷密度的平方根成反比，所以金属的屏蔽要比半导体好。通常认为贵金属（金银铜之类的）至少至少需要三层来屏蔽某势能/电荷变化，而半导体要更多些。所以。。。我们的经验是：三层金属经常有问题，4层可以接受，5层比较理想 |
6楼2009-05-27 03:16:55
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