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直流溅射相关参数影响的请教
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自己想做关于金溅射相关的实验，用的是直流溅射仪（DC sputter）。然后现在遇到的问题就是， 1.如果增加溅射仪的power ，金颗粒在真空状态下下落速度是会增加？如果速度增加的话，那么他在磁场中的移动是否会呈现更好的直线性？又或者说，他通过某个掩膜的话，加大电压那么通过的颗粒会更多？ 自己查询了很多相关的资料，实在找不到，实验停滞在这里没有办法进行。有没有大神做过这个参数变化，然后观察金颗粒或者其他金属颗粒的变化的？ |
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1.溅射出的粒子在真空中的运动基本是自由运动，重力影响可以忽略不计。2.增加功率，薄膜沉积速率会上升.3.溅射出的粒子因为质量较大，即使带电荷受磁场影响也很小，增加直线性最好的办法是适当提高镀膜时的真空，增加溅射粒子的平均自由程，或者减小靶基距。 发自小木虫Android客户端 |
2楼2019-06-04 19:45:42
3楼2019-06-10 14:54:22