| 查看: 138 | 回复: 0 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
介绍一篇电沉积制备硅通孔互联线的文章
|
|||
|
J. Micromech. Microeng. 19 (2009) 065011 "Fabrication of high aspect ratio through-wafer copper interconnects by reverse pulse electroplating" Abstract This study aims to fabricate high aspect ratio through-wafer copper interconnects by a simple reverse pulse electroplating technique. High aspect-ratio (∼18) through-wafer holes obtained by a two-step deep reactive ion etching (DRIE) process exhibit a taper profile, which might automatically optimize the local current density distribution during the electroplating process, thereby achieving void-free high aspect-ratio copper vias. 本文采用脉冲沉积方法,在深宽比的硅通孔中制备铜互连接线.三维硅层叠技术目前是半导体电子封装领域的热门话题.希望本文的研究对从事这方面研究的虫友们有帮助. 此文目前一个月内可以免费下载: http://www.iop.org/EJ/abstract/0960-1317/19/6/065011/ |
回复此楼» 猜你喜欢
高盐废水电催化氧化，氯离子存在下活性氯副产物、阳极选型的工程困惑
已经有0人回复
-
固相反应中颗粒形貌变化计算模拟学习求助
已经有0人回复
-
分析化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有283人回复
-
电催化氧化技术处理高盐难降解废水具备独特优势
已经有0人回复
-
电化学水处理四种主流阳极材料性能与工况适配性对比探讨
已经有0人回复
-
深圳理工大学-深圳大学联合培养项目2027年接收推荐免试研究生
已经有2人回复
-
铁离子电池求助
已经有0人回复
-
想问为什么自制半电池循环只有50圈？
已经有0人回复
-
硕士研究生全国统考 英语二真题合集
已经有0人回复
