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介绍一篇电沉积制备硅通孔互联线的文章
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J. Micromech. Microeng. 19 (2009) 065011 "Fabrication of high aspect ratio through-wafer copper interconnects by reverse pulse electroplating" Abstract This study aims to fabricate high aspect ratio through-wafer copper interconnects by a simple reverse pulse electroplating technique. High aspect-ratio (∼18) through-wafer holes obtained by a two-step deep reactive ion etching (DRIE) process exhibit a taper profile, which might automatically optimize the local current density distribution during the electroplating process, thereby achieving void-free high aspect-ratio copper vias. 本文采用脉冲沉积方法,在深宽比的硅通孔中制备铜互连接线.三维硅层叠技术目前是半导体电子封装领域的热门话题.希望本文的研究对从事这方面研究的虫友们有帮助. 此文目前一个月内可以免费下载: http://www.iop.org/EJ/abstract/0960-1317/19/6/065011/ |
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