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急求帮助！有关AAO膜做掩膜版，制造纳米阵列的求助。 已有1人参与
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 是这样的，我的硕士论文题目就是用AAO膜做掩膜版在硅片上形成相应的金纳米阵列。 设备用的是直流溅镀，根据文献来确定的溅镀时间15min左右，20W的。AAO膜是买来的，有500nm厚，和200nm厚的两种，孔径260nm左右。 但是后期发现做的话，很大部分都粘接在了膜孔内两侧，然后文献里有用胶布去AAO膜，也有用NaOH，或者磷酸。然后发现去除AAO膜后发现，感觉大部分想要沉淀下来的基本都跟粘在孔壁两侧的金一起带走了。又或是沉淀在硅片上的附着力不够强，但是我查到有关文献说需要先溅镀一层Ti纳米层，但是我想了下，因为我的实验接下来还有后续工作，所以不可以镀Ti或者其他金属层。只能直接镀在这个硅片上。。。 我想问下有没有大神用这个做成功过的？我现在的实验成果大概就是，能够喷的进去，但是没有达到要求的厚度，我们做出来的纳米金阵列的厚度通过AFM计算，大概只有10nm左右，但是要达到我们的要求大概要30-50nm左右，感觉遇到了很大的瓶颈。。有没有大神能够指点一下。自己其实查询有关的文献说可以用电子束试下，但是教授的意思是想要把溅镀做的很好，因为毕竟也是进去了10nm左右。。觉得可行。。但是我实在是想不到什么解决方法了。  |
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5楼2019-06-03 17:48:07
yswyx 
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感谢参与，应助指数 +1
mmzlmzl: 金币+5, ★★★很有帮助 2019-05-14 10:08:44
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金和硅的黏附力就是很差啊，所以才会用Ti做粘附层。 想要提升黏附力，那就有很多工作要做了。比如硅片本身的洁净程度，你的片子买来就不干净的话，那就很麻烦，建议去研材买真空包装的。 如果自己洗的话，最好是RCA煮酸了。 最好在溅射前用BOE或者氢氟酸把片子表面的原生氧化层漂掉，去离子水冲干净后再洁净环境下烘干。 溅射的时候肯定要先进行反溅射，同时，尽可能的提升溅射的温度。电子束蒸发也是一样，温度越高，结合力越好。 如果都不行，就先退火，让溅射好的金和硅进行扩散，结合力就变好了。但是要控制扩散温度和时间，否则金会扩散光的。 |
3楼2019-05-13 13:44:40
4楼2019-05-14 10:10:19
laozheng66
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6楼2019-06-06 14:49:02
