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[交流] 连续动态再结晶与层错能的关系

请教大家，一般说层错能低的材料在动态再结晶过程中趋于非连续动态再结晶，而层错能高的材料趋于连续动态再结晶，这里面的机理是什么呢？

层错能高易于交滑移，不易产生晶界迁移，但是为什么趋于连续而非不连续动态再结晶的原理还是不太明白。

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1楼 2019-05-01 10:23:34

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银虫 (正式写手)

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看材科基

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3楼2019-05-01 10:33:05

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星火abcd

至尊木虫 (著名写手)

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Xfrag: 金币+1 2019-05-05 09:31:26

A review of dynamic recrystallization phenomena in metallic materials
2.2.1. Stacking fault energy
In summary, the SFE determines the width of stacking fault which
influences the level of dislocations dissociation into partial dislocations.
Low γSFE promotes such a dissociation reactionwhich hinders the climb
and cross slip of dislocations, i.e., retards DRV. This explains why CDRX
and GDRX are generally observed for high γSFE while DDRX is expected
for materials with low γSFE. It should be emphasized that γSFE is not the
only factor to determine which type of DRX processes will take place
during hot deformation, other influencing factors, which also play important
roles in DRX, will be discussed in the following sections.