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forever木虫 (正式写手)
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【求助】【求助】做MOCVD生长的虫虫
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我今后希望做半导体方面的课题，但没有生长设备，希望能协助生长特殊设计的InGaAs/InP外延片，我可以购买基片和提供生长的费用。 做MOCVD生长的虫虫，希望联系一下！QQ532974933，谢谢 |
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4楼2009-05-14 08:37:53
元小雪
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2楼2009-05-12 18:26:03
forever
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3楼2009-05-13 22:22:15
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多谢 catv2006 ！ 我们要求生长的片子比较厚，比如说： 1. InP（基底）/InP缓冲层/In0.53Ga0.47As（）/渐变层（约0.1-0.3um）/InP（0.3-0.5um） 掺杂均为p型Zn掺杂，(用Be可能怕有毒，呵呵) 要求：1.InGaAs层是用来进行光吸收的，一般是1-2um，掺杂为p型，浓度5*10^15cm(^)-3 2.表面InP层，0.5um，掺杂浓度2*10^16, .渐变层，这一层的要求要求与InP晶格严格匹配，这是一般的片子，比较好生长。 而如果是特殊的生长材料，我们不但要求掺杂浓度线性变化，能带也需要特殊设计（其设计与组分和物种相关），即不但要求掺杂浓度，而且对能带的变化有一定的要求。总之，如果生长，我们也会画出图形，列出对浓度和要求，这不是一句两句话能说清楚的。 2.更为复杂的生长，必如 GaAs衬底/InxGa1-xAs缓冲层（有应力存在）/InAs（1-2um）/InxGa1-xAs（0.2-0.5um）/GaAs（0.5um） （考虑用GaAs作为基底比较便宜，呵呵，其实为了减小应力用InP为衬底更好一些。） 这个生长，要求可以有应力存在，但不需要位错的存在，（位错的要求与严格匹配的异质结相同，尽可能防止电子的复合中心存在），除了尽可能小的位错密度，对生长的掺杂变化，和能带的变化都有要求。 这个设计会难一些，因为要用到应变带来的能带变化量，和应力带来的电场变化P＝a*E（相当于自starke效应一样，）. 我不是搞半导体生长的，我想如果能将特殊设计的参数都列出来的话，用MOCVD自动控制生长时，只要将数据输入就行了。 目前正在优化参数，如果楼上能协助生长，我们会尽可能地将生长参数列得详细一些，并会支付一定的费用。 再次谢过catv2006 ！ [ Last edited by forever on 2009-5-14 at 15:38 ] |
5楼2009-05-14 15:33:07
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