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helanl

新虫 (初入文坛)

[求助] 求几个专业名词的中文翻译

是光电材料生长这块的文献
once the top-gated device geometry is employed, the device subthreshold slopes can be impressively reduced down to 91 mV dec −1 at room temperature.
bulk mobility limit
atomic stacking in the polar ⟨111⟩B direction
stacking faults and polytypism
back-gated FETs;top-gated FETs
the interface in-plane relationship
a high-κ dielectric
carrier traps
a dielectric layer of Al2O3 with 13.5 nm thickness was thermally evaporated, followed by a 10 h annealing at 100 °C in ambient for densification.
光响应的fast rise and decay times
场效应管制作方面 :  lift-off process
仿真方面: Vienna ab initio simulation package
The Monkhorst−Pack k-point meshes
500 eV is set as the kinetic energy cutoff for the plane-wave basis

问题有点多能回答多少都行,小白谢谢大神们!
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rcees2007

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

一旦采用顶部门控器件几何结构,器件亚阈值斜率可以在室温下显着降低至91 mV dec -1。
体极限迁移限制原子堆叠在极性⟨111⟩B方向堆叠故障和多型反向栅极FET;顶部门控FETs界面面内关系高κ电介质载流子陷阱Al2O3介电层厚度为13.5nm
蒸发,然后在100℃下在环境中退火10小时以进行致密化。
2楼2019-03-04 08:46:56
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