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[交流]
做固体紫外禁带宽度的确定（悬赏5金币）已有1人参与
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我合成的硫化锑，做固体漫反射，再根据 利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E＝1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用（F（R）＊E）1/2做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 图谱见附件 请问是否曲线的交点就是禁带宽度值？ 谢谢 [ Last edited by Alex122 on 2009-5-11 at 14:09 ] |
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kepler
铜虫 (正式写手)
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4楼2009-05-11 23:22:10
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zouzhq(金币+1,VIP+0):谢谢应助，欢迎常来催化版！ 5-11 16:25
zouzhq(金币+1,VIP+0):谢谢应助，欢迎常来催化版！ 5-11 16:25
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曲线与纵坐标＝0的横坐标的截距就禁带宽度。 Band gap (Eg) energies can be estimated from UV-vis DRS spectra. Semiconductors are classified to be indirect or direct according to the lowest allowed electronic transition. The relation between absorption coefficient (α) and incident photon energy (hν) can be written as α = Bd(hν - Eg)1/2/hν for allowed direct transitions, where Bd is the absorption constants. Plot of (αhν)1/2 and (αhν)2 versus hν from the spectra data of C-TiO2 and V2O5 in figure 3a are presented in figure 3b and 3c. The Eg estimated from the intercept of the tangents to the plots is 2.76 and 2.24 eV for C-TiO2 and V2O5, respectively. |
2楼2009-05-11 14:03:54
3楼2009-05-11 14:07:41
遥遥故事
木虫 (正式写手)
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- 专业: 催化化学
5楼2009-05-12 10:53:13