| 查看: 222 | 回复: 1 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】VASP优化过渡金属催化剂表面时INCAR中ISIF取几
|
|||
| 我做的是金属表面催化,由于刚学VASP,很多东西不清楚。想起问一下,若优化过渡金属催化剂表面,ISIF该取几?(POSCAR文件是从MS建模直接取出的,是否需要同时优化晶格参数与原子位置?) |
» 猜你喜欢
调剂
已经有20人回复
0703化学
已经有32人回复
286求调剂
已经有9人回复
求调剂
已经有7人回复
278求调剂
已经有24人回复
材料类284调剂
已经有19人回复
一志愿0703化学招61最终排名62化学求调剂
已经有14人回复
求调剂
已经有13人回复
299求调剂
已经有3人回复
机械专硕273请求调剂
已经有6人回复
2楼2009-04-28 22:20:22














回复此楼