| 查看: 247 | 回复: 1 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】VASP优化过渡金属催化剂表面时INCAR中ISIF取几
|
|||
| 我做的是金属表面催化，由于刚学VASP，很多东西不清楚。想起问一下，若优化过渡金属催化剂表面，ISIF该取几？（POSCAR文件是从MS建模直接取出的，是否需要同时优化晶格参数与原子位置？） |
回复此楼» 猜你喜欢
面上提前没消息，有中的吗
已经有14人回复
-
这种情况还有戏吗
已经有12人回复
-
微信指数没变化，科研之友没阅读
已经有19人回复
-
准备明年的基金了
已经有7人回复
-
面上再次挂了，太难了，躺也躺不了，倦也卷不过，小学校之殇！
已经有24人回复
-
2026年国自然面上资助率
已经有21人回复
-
基础研究怎么拉横向，学校到款任务越来越多，难以完成 拉横向，都有哪些途径啊
已经有10人回复
-
2027年申博
已经有3人回复
-
一个有机合成实验室都需要哪些设备？
已经有7人回复
-
HXDI做水性聚氨酯乳液，是不是特别容易出渣
已经有3人回复
2楼2009-04-28 22:20:22